Transistor Mosfet FQPF10N60C 600V 9.5A

Descripción

El 10N60C es un Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado,   proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y   avalancha. Estos dispositivos son adecuados para suministros de energía de modo de conmutación de alta eficiencia y   corrección de factor de potencia activa.

• Capacidad dv / dt mejorada
• Cambio rápido
• Carga de puerta baja (típico 44 nC)
• Crss bajo (típico 18 pF)
• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
• Corriente de drenaje ID: 9.5 A
• Corriente de drenaje pulsada: 38 A
• Disipación de potencia (Tc=25°C): 156 W
• Resistencia de activación Rds(on): 0.73 ohm
• Temperatura de funcionamiento mínima:   -55 °C
• Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220F
• Número de pines: 3