Transistor Mosfet IRF740 400V 10A Tipo N

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF740PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

• Baja resistencia térmica
• Tecnología de proceso avanzada
• Clasificación dinámica dv / dt
• Cambio rápido
• Totalmente avalancha nominal
• Facilidad de paralelismo
• Requisito de manejo simple
• Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

• Polaridad del transistor: Canal N
• Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Intensidad drenador continua Id: 10 A
• Resistencia de activación Rds(on): 550 mohm
• Disipación de potencia Pd: 125 W
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado TO-220
• 3 pines

Sustituto

• NTE2397