Transistor Mosfet IRFP640 200V ,18A 125 W

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.

• Valor dinámico dv / dt
• Evaluación avalancha repetitiva
• Conmutación rápida
• Facilidad de paralelismo
• Requisitos de unidad sencilla

Aplicaciones: Administración de potencia

• Polaridad de transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID: 18 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
• Disipación de potencia máxima PD: 125 W
• Resistencia de activación Rds(on): 0.18 ohms
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3