Transistor NPN TIP102

Descripción

Transistor TIP102,  epitexial de silicio 100V con polaridad NPN y darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación.  Cuenta con construcción monolítica con  resistencias en derivación base-emisor.

• Alta ganancia de corriente continua (hFE = 1000 a VCE = 4V, IC = 3A mínimo)
• 100V Voltaje del colector (VCBO)
• Darlington
• Baja tensión de saturación colector-emisor
• 5V Voltaje de la base del emisor (VEBO)
• 1A Corriente base (IB)
• Complemento: TIP105/106/107

Aplicaciones: Amplificador de potencia, conmutación, uso general

• Polaridad del transistor: NPN
• Voltaje colector base VCBO: 100 V
• Voltaje colector emior VCEO: 100 V
• Voltaje emisor base VEBO: 5 V
• Corriente colector DC Ic : 8 A
• Disipación de potencia Pc (Tc=25°C): 80 W
• Ganancia de corriente continua hFE: 200 hFE
• Temperatura de operación mínima: -65 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines

Sustituto

• NTE2343