Transistor MOSFET IRF630 200V 9A
Descripción
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF630PBF es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Valor dinámico dV / dt
- Avalancha repetitiva
- Facilidad de paralelizar
- Requisitos de unidad sencilla
Información Básica
- Polaridad: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 9 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
- Resistencia de activación Rds(on): 400 mohm
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 74 W
- Temperatura de trabajo máxima: 150°C
- Encapsulado TO-220
- 3 pines