Transistor Mosfet Y60NK30Z

Descripción

Símbolo Parámetro Valor Unidad

• VDS Tensión de fuente de drenaje (VGS = 0) 200 V
• VDGR Voltaje de compuerta de drenaje (RGS = 20 kΩ) 200 V
• Voltaje de fuente de puerta VGS ± 30 V
• Corriente de drenaje ID (continua) a Tc = 25 o C 60 A
• Corriente de drenaje ID (continua) a Tc = 100 oC 40 A
• IDM (•) Corriente de drenaje (pulsada) 240 A
• Disipación total de Ptot a Tc = 25 o
• C 300 W
• Factor de reducción 2,4 W / o C
• Temperatura de almacenamiento Tstg -65 a 150 o C
• Tj Max. Temperatura de unión operativa 150 o C
• (•) Ancho de pulso limitado por área de operación segura 1/4